Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659105562

Книга ISBN13 9783659105562 - Design of Capacitorless Memory Cell based on GaN Heterostructures (Manju Korwal Chattopadhyay) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Design of Capacitorless Memory Cell based on GaN Heterostructures
This book investigates the possibility to design and analyze a memory element using Gallium Nitride (GaN) based Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs). The memory element uses a single transistor and zero capacitor. This memory takes advantage of the natural coexistence of both hole and electron gases in such heterojunction based devices. The two dimensional hole gas has been considered in the past as parasitic. It triggers hysteresis and transient effects within the FET output characteristics. Using this phenomenon, however, we propose an implementation of the memory concept in GaN/AlGaN/GaN HFET. The system is composed of the GaN/AlGaN/GaN regions.It may be integrated with conventional GaN HFET based technology as well. The present studies are performed using the ATLAS device simulator by Silvaco International.
Авторы: Manju Korwal Chattopadhyay
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2014
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659105562


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.