Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659136603

Книга ISBN13 9783659136603 - Optimisation of Grooved Gate MOSFETS for SUB-100 NM VLSI Technology (Sreelal Sreedharan Pillai and Samudra Ganesh Shankar) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Optimisation of Grooved Gate MOSFETS for SUB-100 NM VLSI Technology
The short-channel and hot-carrier effects that arise when MOSFET devices are scaled down to very short channel lengths is a major topic of research in the area of VLSI technology. Grooved gate MOSFETS alleviate many of these. Here a systematic study of the major electrical characteristics of grooved gate device is done at gate lengths of 100 nm. An optimised process flow is presented to overcome two of its major drawbacks - higher gate-to-source/drain parasitic capacitance and lack of a self-aligned and integrated gate structure. The resulting device exhibits significantly enhanced characteristics. An analytical model for the gate-to-source/drain capacitance characteristics of the grooved gate device is then presented. It features an extrinsic capacitance model that incorporates the strong bias dependence of overlap capacitance and deals with the issues involved in optimisation and analysis of not only such novel device structures but source/drain engineered conventional planar...
Авторы: Sreelal Sreedharan Pillai and Samudra Ganesh Shankar
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2012
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659136603


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.