Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659149511

Книга ISBN13 9783659149511 - Triple Metal Double Gate (TM-DG) MOSFET (Achinta Baidya) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Triple Metal Double Gate (TM-DG) MOSFET
The aggressive scaling of the CMOS technology in the deep submicrometer regime gives rise to the short channel effects(SCEs). The double gate or multi-gate devices provide a better scalability option due to its excellent immunity to short-channel effects. This work focuses on the performance analysis of ultra-thin body Triple Metal Double Gate(TM-DG) MOSFET implemented with the high-k dielectric in gate oxide. The TMDG MOSFETs and its electrical characteristics variation especially short channel effects(SCEs) have been simulated and analyzed. optimal doping in the channel region can provide a better device performance in terms of drive current, ION/IOFF ratio, etc., keeping the SCEs within reasonable limits. The above device has been optimized with TCAD (Sentaurus TCAD)simulations and it has been found that the TMDG MOSFETs offers better transconductance, subthreshold swing, ION/IOFF ratio in sub 100 nm regimes as compared to the conventional DG MOSFETs.
Авторы: Achinta Baidya
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2012
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659149511


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.