Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659222856

Книга ISBN13 9783659222856 - Dislocation and strain relaxation at III-V semiconductor interface (Yi Wang) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Dislocation and strain relaxation at III-V semiconductor interface
The misfit dislocations and strain relaxation play a critical role in growth of high quality Sb-based III-V hetero-structures, which is of great interest for applications in the near- and far-infrared optoelectronics and ultra-high speed low-power consumption electronics. The aim of this work is to carry out an extensive TEM investigation of Sb-based III-V layer on the GaAs (or GaP) substrates and especially try to point out the relationship between the misfit dislocations types, strain relaxation, and the misfit dislocation formation mechanism. This book includes an introduction of this research and the state of art of the MBE epitaxy of GaSb; the facilities as well as the theoretical tools used to investigate the misfit dislocation and strain relaxation; growth optimization of highly lattice mismatched GaSb on GaAs as well as GaP substrate; and experimental & theoretical work to investigate the misfit dislocation formation mechanism. The results presented in this book will be useful...
Авторы: Yi Wang
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2012
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659222856


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.