Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659246876

Книга ISBN13 9783659246876 - Compact Modelling of DGMOSFET's (Neha Agarwal) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Compact Modelling of DGMOSFET's
Double gate MOSFET is widely used for sub-50nm technology of transistor design .They have immunity to short channel effects, reduced leakage current and high scaling potential. The single gate Silicon–on-insulator (SOI) devices give improved circuit speed and power consumption .But as the transistor size is reduced the close proximity between source and drain reduces the ability of the gate electrode to control the flow of current and potential distribution in the channel. To reduce SCE we need increase gate to channel coupling with respect to source/drain to channel coupling. This book presents the compact modeling of long channel undoped and doped symmetric double-gate MOSFET. The formulation starts with the solution of Poisson’s equation which is then coupled to the Pao-Sah current equation to obtain the analytical drain-current model in terms of carrier concentration. The performance analysis of both the doped and undoped body symmetric DGMOS is done by using the model ....
Авторы: Neha Agarwal
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2012
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659246876


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.