Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659280917
На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Книга ISBN13 9783659280917 - Modeling Of Novel Mosfet Devices (Sudhansh Sharma) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением
Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Где купить эту книгу?
Интернет-магазиныНазвание: Modeling Of Novel Mosfet Devices
The classical method of MOSFET scaling has served us well for more than 30 years. The new era of scaling is one where material and structure innovation are just as important as dimensional scaling. The dimensional scaling leads to short channel effects (SCEs) which are going to severely affect the device performance. The content of this book may be used to analyze the effect of SCEs on the device performance. The book also provides a detailed analysis of potential distribution in the Silicon and Germanium films, which is extremely important for the evaluation of SCEs in a given MOSFET structure. Further, it also discusses the important technological parameters related to the design and optimization of MOSFET devices. Since, very few models are available to examine all the dominant short channel effects in novel MOS devices, the book is going to be extremely useful for MOS device and circuit designers.
Авторы: Sudhansh Sharma
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2012
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659280917
Поиск по сайту
Новости
10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.
2015 - books.kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net