Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659347658
На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Книга ISBN13 9783659347658 - Magnetoresistive RAMs - A Device & Circuit Level Perspective (Mayank Chakraverty) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением
Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Где купить эту книгу?
Интернет-магазиныНазвание: Magnetoresistive RAMs - A Device & Circuit Level Perspective
This work aims to exploit the potential of nano scale memories like MTJ based Magnetoresistive RAM for use in cell phone architectures by replacing age old flash memories through a series of simulations performed using various tools. Magnetoresistive memory (MRAM) is one of the forerunners of the nanotechnology enabled memories lined to replace the traditional memories like Flash, DRAM and SRAM. MRAMs are based on the phenomenon of spin dependent tunneling in magnetic tunnel junctions (MTJs). It stores data in the magnetization of a magnetic layer as opposed to electrical charge in conventional RAMs. Yet the read-out of the MRAM is electrical. It is claimed to offer something close to the speed of SRAM, with a density approaching that of single-transistor DRAM and the ability to store information when power is removed, like flash memory or EEPROM.
Авторы: Mayank Chakraverty
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2013
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659347658
Поиск по сайту
Новости
10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.
2015 - books.kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net