Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659421228
На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Книга ISBN13 9783659421228 - Surface potential of Dual Material Gate MOSFET with high-k dielectrics (Swapnadip De) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением
Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Где купить эту книгу?
Интернет-магазиныНазвание: Surface potential of Dual Material Gate MOSFET with high-k dielectrics
The shrinking of device dimension leads to reduction of gate oxide thickness. As a result of this the undesirable hot electron effect and the gate tunneling current is increased. In order to overcome this drawback high-k materials are used instead of silicon dioxide as the insulating material underneath the gate. High-k dielectrics are used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric.Among various high-k materials, Hafnium oxide (HfO2), Tantalum pent oxide (Ta2O5) these materials appear to be the candidates for replacing silicon oxide. These high-k dielectrics exhibit a trend of decreasing barrier height with increasing dielectric constant.The high-k materials with far higher permittivity create same gate capacitance for thicker dielectric. In this book the main focus has been on the modeling and the influence of depletion layers around the source and the drain regions on the sub threshold surface potential of a...
Авторы: Swapnadip De
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2013
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659421228
Поиск по сайту
Новости
10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.
2015 - books.kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net