Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659432026

Книга ISBN13 9783659432026 - Study of Defect States in Silicon Carbide (Padmaja Patnaik,Gautam Mukhopadhyay and Prabhakar P. Singh) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Study of Defect States in Silicon Carbide
Current power electronics world require semiconductor devices which are capable of highly reliable performances under extreme conditions of voltages and temperature. Wide band gap semiconductors are more suitable in comparison to the traditional semiconductors in such cases. One such semiconductor currently in focus is SiC. This book describes the strucutral, electronic and magnetic properties of SiC. It presents the results of coputational studies of few intrinsic and extrinsic impurities in SiC and their combination too. Many conclusions are found which can throw some light on its practical usefulness. The impurities considered are, B, Al, Ga, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn and W. We have used first principle density functional theory with different exchange and correlation schemes using pseudopotentials to perform the electronic structure calculations of several defects in SiC. The theoretical background for computation has also been described in this book.
Авторы: Padmaja Patnaik,Gautam Mukhopadhyay and Prabhakar P. Singh
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2013
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659432026


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.