Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659447525

Книга ISBN13 9783659447525 - An Improved Mosfet I-V Model and its Application in Nano-Cmos Circuits (Jagannath Samanta and Asish Kumar Singh) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: An Improved Mosfet I-V Model and its Application in Nano-Cmos Circuits
A compact MOSFET I-V model for estimating the drain current of sub-90nm MOSFET in the linear and saturation regions is proposed. It is a modification of nth-power law model introduced by Sakurai and Newton. The proposed model provides more accurate relationship between the channel length modulation and gate voltage in the saturation region. New parameters are introduced for better characterization of drain current of MOSFET at lower VGS and VDS. The proposed model is compared with Modified Sakurai-Newton (MSN) Current model and Extended-Sakurai-Newton (ESN) Compact MOSFET model, and it is found that the proposed model is much more accurate. The model provides precise estimation of drain current as well as the delay of a CMOS inverter. The drain characteristics predicted by the proposed model match with BSIM4v7 simulation with an average error of 1.33% and the delay estimations of CMOS inverter have an average error of 0.03 %( 0.12% maximum) in 90nm process technology.
Авторы: Jagannath Samanta and Asish Kumar Singh
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2013
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659447525


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.