Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659451836

Книга ISBN13 9783659451836 - Reliability Characteristics of Rare-earth oxides and Gate Stacks on Ge (M. Shahinur Rahman) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Reliability Characteristics of Rare-earth oxides and Gate Stacks on Ge
Germanium as a replacement for Silicon in MOS devices, offers a higher electron (2x) and hole (4x) mobility than Si. A Ge channel MOS technology has been expected to be implemented into future high-speed Si platform, because of the enhanced carrier transport. The poor quality of the native oxide (GeO2) however hampered the use of this material in large scale production. One potential solution is the use of Rare-earth oxides (REOs) such as CeO2, La2O3, Dy2O3, Gd2O3, which can be directly deposited on Ge-substrates. The reliability characteristics of these CMOS devices on Ge-substrates are of important concerns and the main subject of this book. Reliability characteristics such as Charge trapping, SILC, defects generation, dielectrics degradation, polarization relaxation and several other issues are addressed here. A pertinent finding is discussed in this book that it shows Maxwell-Wagner instabilities (that is charge accumulation at the interface of two dielectrics). The gate stacks...
Авторы: M. Shahinur Rahman
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2013
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659451836


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.