Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659452192

Книга ISBN13 9783659452192 - Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation (Mohamed Elsayed) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: Defect Studies in III-V Semiconductors by Positron Annihilation
III-V compound semiconductors are used in the fabrication of a variety of discrete and integrated optoelectronic devices due to their superior electronic properties. Diffusion is one of the fundamental processes employed in the semiconductor industry. This process plays a key role in the kinetics of many microstructural changes that occur during processing of semiconductors. Lattice defects robustly influence or even determine most of the important properties, for example the optical and electrical properties, of semiconductor materials. They may reduce the density of free carriers or mediate dopant diffusion and are thus of essential technological importance. Studying the formation of point defects responsible for the occurrence of diffusion and their behavior are of vital importance to the understanding of the properties of these materials and to their successful application in semiconductor devices. Positron annihilation spectroscopy is a powerful tool for detecting and studying...
Авторы: Mohamed Elsayed
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2013
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659452192


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.