Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659564796
На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Книга ISBN13 9783659564796 - Channel And Gate Engineered Double Gate MOSFET (Swapnadip De,Manash Chanda and Chandan Kumar Sarkar) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением
Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.
Где купить эту книгу?
Интернет-магазиныНазвание: Channel And Gate Engineered Double Gate MOSFET
The shrinking of device dimension leads to reduction of gate oxide thickness. Because of this the undesirable hot electron effect and the gate tunneling current is increased. For Double gate MOSFETs, two gates control the potential barrier between the source and the drain terminals effectively, and the short channel effects can be suppressed. In DG structure, the electron current density corresponding to the two applied gate bias voltages (Vgs-front, Vgs -back) influence each other, and both cannot be neglected. The greater current density is obtained underneath the higher biased gate. Also the channel underneath the higher biased gate ends abruptly. The silicon-oxide interface corresponding to the lower biased gate has a lower current density. This leads to the assumption of two different channels having two different pinch-off points. In Dual Material Gate MOSFETs, metals with different work functions M1 andM2 amalgamate together laterally in the gate.
Авторы: Swapnadip De,Manash Chanda and Chandan Kumar Sarkar
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2014
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659564796
Поиск по сайту
Новости
10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.
2015 - books.kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net
e-mail: books@kartoteka.net