Картотека книг

предварительная версия
Картотека книг » Поиск по коду » Книги с ISBN13 9783659586699

Книга ISBN13 9783659586699 - A Study of Si-Ge Interdiffusion for SiGe based Semiconductor Devices (Yuanwei Dong) в магазинах, библиотеках и электронных библиотеках с он-лайн чтением

Информация о местонахождении книг с указанным кодом ISBN. (Найти нужный код ISBN10 или ISBN13 можно в техническом каталоге кодов.)

На странице указаны адреса интернет-магазинов и библиотек (обычных) в которых есть книга с данным кодом.

Где купить эту книгу?

Интернет-магазины

Название: A Study of Si-Ge Interdiffusion for SiGe based Semiconductor Devices
This book focused on interdiffusion behaviors in SiGe heterostructures under different strain conditions. A unified Si-Ge interdiffusivity model without strain’s impact was built over the full Ge fraction range for the first time. It was demonstrated that the unified model is valid for Si-Ge interdiffusion under conventional furnace anneals, and advanced anneal techniques such as soak and spike rapid thermal anneals. In addition, the role of biaxial compressive strain in Si-Ge interdiffusion was fully clarified. Compressive strain can enhance Si-Ge interdiffusion greatly, by tens to a hundred times at certain temperature range. Moreover, some new light was shed on a more complicated case, interdiffusion with strain relaxation. The interdiffusivity models can be employed to predict and estimate interdiffusion in SiGe heterostructures for next-generation semiconductor devices, and to optimize the design of SiGe epitaxial structures and thermal budgets for fabrication processes. On the...
Авторы: Yuanwei Dong
Издательство: LAP Lambert Academic Publishing
Год: 2014
Местонахождение: OZON.ru
ISBN: 9783659586699


Поиск по сайту


Новости

10 января 2015 года: Запуск базы ISBN10 и ISBN13

Запущена база данных ISBN и технический каталог кодов.